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DMN3042L-7

N-CH 30V 5,8A 21mOhm SOT23 产品料号: TMOS2593 封装: SOT-23 包装: REEL

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0.0811

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3000

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Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	5.8A	RDS(on)at 10V	21mOhm
Q(g)	13.3nC	P(tot)	0.72W

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描述

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DMN3404L-7

N-CH MOS-FET 5,8A 30V SOT23 产品料号: TMOSS6335 封装: SOT-23 包装: REEL

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0.064

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3000

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60%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	5.8A	RDS(on)at 10V	24mOhm
Q(g)		P(tot)	1.4W

DMG3404L-7

N-CH MOS-FET 4,2A 30V SOT23 产品料号: TMOSS6741 封装: SOT-23 包装: REEL

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0.0821

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3000

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59%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	4.2A	RDS(on)at 10V	21mOhm
Q(g)		P(tot)	1.33W

首选产品

SI4178DY-T1-GE3

N-CH 30V 12A 21mOHm SO-8 产品料号: TMOSP11491 封装: SO-8 包装: REEL

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0.2129

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2500

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58%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	12A	RDS(on)at 10V	21mOhm
Q(g)	12nC	P(tot)	5W

首选产品

IRLML2803TRPBF

N-CH 30V 1.2A 250mOhm Micro3 产品料号: TMOSS6807 封装: SOT-23 包装: REEL

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0.0636

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3000

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57%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	1.2A	RDS(on)at 10V	250mOhm
Q(g)	3.3nC	P(tot)

ZXMN3A01E6TA

N-CH 30V 3,0A 120mOhm SOT26 产品料号: TMOS1482 封装: SOT-26 包装: REEL

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0.2838

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3000

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10 周

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55%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	3A	RDS(on)at 10V	120mOhm
Q(g)	2.3nC	P(tot)	1.1W

SI5468DC-T1-GE3

N-CH 30V 6A 28mOhm 1206-ChipFET 产品料号: TMOSP10733 封装: CF1206-8 包装: REEL

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0.194

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3000

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19 周

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54%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	6A	RDS(on)at 10V	28mOhm
Q(g)	12nC	P(tot)	5.7W

DMG3402L-7

N-CH 30V 4A 52mOhm SOT23 产品料号: TMOS1118 封装: SOT-23 包装: REEL

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0.0844

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3000

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10 周

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54%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	4A	RDS(on)at 10V	52mOhm
Q(g)	11.7nC	P(tot)	1.4W

PJA3404_R1_00001

N-CH 30V 5.6A 27mOhm SOT-23 产品料号: TMOS1189 封装: SOT-23 包装: REEL

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0.0551

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3000

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39 周

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54%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	5.6A	RDS(on)at 10V	30mOhm
Q(g)	7.8nC	P(tot)	1.25W

首选产品

SI2304DDS-T1-GE3

N-CH 30V 3,6A 60mOhm SOT23 产品料号: TMOSS6568 封装: SOT-23 包装: REEL

单价

0.1174

包装单位

3000

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53%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	3.6A	RDS(on)at 10V	60mOhm
Q(g)	2.1nC	P(tot)	1.7W

SP001559738

N-CH 30V 7,3A 30mOhm SO-8 产品料号: TMOSP11849 封装: SO-8 包装: TUBE

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0.2276

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41 周

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Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	7.3A	RDS(on)at 10V	30mOhm
Q(g)	19nC	P(tot)	2.5W