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IRF60R217

N-CH 60V 58A 8mOhm D-Pak 产品料号: STDMOS1609 封装: D-Pak 包装: REEL

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0.5209

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2000

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Configuration	N-CH	V(DS)	60V
I(D)at Tc=25°C	58A	RDS(on)at 10V	8mOhm
Q(g)	40nC	P(tot)	83W

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BSC028N06NSATMA1

N-CH 60V 100A 2.8mOhm SON-8 产品料号: TMOSP10858 封装: TDSON-8 包装: REEL

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1.003

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5000

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Configuration	N-CH	V(DS)	60V
I(D)at Tc=25°C	100A	RDS(on)at 10V	2,8mOhm
Q(g)	37nC	P(tot)	83W

IPD053N06NATMA1

N-CH 60V 45A 5,3mOhm TO252-3 产品料号: TMOSP10975 封装: DPAK 包装: REEL

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0.4941

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2500

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Configuration	N-CH	V(DS)	60V
I(D)at Tc=25°C	45A	RDS(on)at 10V	5,3mOhm
Q(g)	27nC	P(tot)	83W

ZXMN6A25KTC

N-CH 60V 10,7A 50mOhm TO252 产品料号: TMOSP11254 封装: DPAK 包装: REEL

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0.3339

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2500

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Configuration	N-CH	V(DS)	60V
I(D)at Tc=25°C	10,7A	RDS(on)at 10V	50mOhm
Q(g)	11nC	P(tot)	4,3W

RE1L002SNTL

N-CH 60V 0,25A 1700mOhm EMT3F 产品料号: TMOS1279 封装: RMT3F 包装: REEL

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0.0313

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3000

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Configuration	N-CH	V(DS)	60V
I(D)at Tc=25°C	0,25A	RDS(on)at 10V	1700mOhm
Q(g)		P(tot)	0,15W

SN7002NH6327XTSA2

N-CH MOS-FET 0,2A 60V SOT23 产品料号: TMOSS6399 封装: SOT-23 包装: REEL

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0.0344

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3000

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Configuration	N-CH	V(DS)	60V
I(D)at Tc=25°C	0,2A	RDS(on)at 10V	5000mOhm
Q(g)	1nC	P(tot)	0,36W

BSS159NH6327XTSA2

N-CH DepletionMOSFET 60V SOT23 产品料号: TMOSS6453 封装: SOT-23 包装: REEL

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0.1008

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3000

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47%

Configuration	N-CH	V(DS)	60V
I(D)at Tc=25°C	0,13A	RDS(on)at 10V	8000mOhm
Q(g)	1,4nC	P(tot)	0,36W

BSS138NH6327XTSA2

N-CHAN.-MOS-FET 0,23A 60V SOT23 产品料号: TMOSS6461 封装: SOT-23 包装: REEL

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0.0365

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3000

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Configuration	N-CH	V(DS)	60V
I(D)at Tc=25°C	0,23A	RDS(on)at 10V	3500mOhm
Q(g)	1,0nC	P(tot)	0,36W

TK58E06N1,S1X(S

N-CH 60V 58A 5,4mOhm TO220-3 产品料号: TMOSP11301 封装: TO-220 包装: TUBE

单价

0.636

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20 周

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46%

Configuration	N-CH	V(DS)	60V
I(D)at Tc=25°C	58A	RDS(on)at 10V	5,4mOhm
Q(g)	46nC	P(tot)	110W

IPD034N06N3GATMA1

N-CH 60V 100A 3,4mOhm TO252-3 产品料号: TMOSP9740 封装: DPAK 包装: REEL

单价

0.6772

包装单位

2500

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Configuration	N-CH	V(DS)	60V
I(D)at Tc=25°C	100A	RDS(on)at 10V	3,4mOhm
Q(g)	98nC	P(tot)	167W

DMN6068LK3-13

N-CH 60V 9A 68mOhm TO252-3 产品料号: TMOSP10386 封装: DPAK 包装: REEL

单价

0.2106

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2500

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Configuration	N-CH	V(DS)	60V
I(D)at Tc=25°C	8,5A	RDS(on)at 10V	68mOhm
Q(g)	10,3nC	P(tot)	4,12W