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SISA12ADN-T1-GE3

N-CH 30V 25A 3,2mOhm PPAK1212-8 产品料号: STDMOS1528 封装: PPAK1212-8 包装: REEL

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0.485

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3000

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14 周

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100%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	25A	RDS(on)at 10V	3.2mOhm
Q(g)	5.2nC	P(tot)	28W

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首选产品

IRLB8743PBF

N-CH 30V 150A 3,2mOhm TO220-3 产品料号: TMOSP12592 封装: TO-220 包装: TUBE

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0.6175

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51%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	150A	RDS(on)at 10V	3.2mOhm
Q(g)	36nC	P(tot)

SI8816EDB-T2-E1

N-CH 30V 2,3A 109mOhm MF0,8x0,8 产品料号: TMOS2172 封装: MicroFoot 包装: REEL

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0.103

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3000

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8 周

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47%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	2.3A	RDS(on)at 10V	109mOhm
Q(g)	4.4nC	P(tot)	0.9W

DMN3150L-7

N-CH MOS-FET 3,8A 30V SOT23 产品料号: TMOSS6375 封装: SOT-23 包装: REEL

单价

0.103

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3000

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42%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	3.8A	RDS(on)at 10V	39mOhm
Q(g)		P(tot)	1.4W

RJU003N03T106

N-CH SMD MOSFET 30V 0,3A UMT3 产品料号: TMOSS5991 封装: UMT3 包装: REEL

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3000

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42%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	0.3A	RDS(on)at 10V	900mOhm
Q(g)		P(tot)	0.2W

首选产品

SI1308EDL-T1-GE3

N-CHANNEL-MOS-FET 1,4A 30V SC70 产品料号: TMOSS6701 封装: SOT-323 包装: REEL

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0.1422

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3000

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42%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	1.4A	RDS(on)at 10V	110mOhm
Q(g)		P(tot)	0.5W

SALE

BSC0901NSATMA1

N-CH 30V 100A 1,9mOhm TDSON-8 产品料号: TMOS2611 封装: TDSON-8 包装: REEL

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0.24

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5000

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42%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	100A	RDS(on)at 10V	1.9mOhm
Q(g)	44nC	P(tot)	69W

IRF7821TRPBF

N-CH 30V 13,6A 9,1mOhm SO8 产品料号: TMOSP11997 封装: SO-8 包装: REEL

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0.3426

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4000

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42%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	13.6A	RDS(on)at 10V	9.1mOhm
Q(g)	9.3nC	P(tot)

IRLHS6342TRPBF

MOSFET 30V 8.5A 产品料号: TMOSS6783 封装: PQFN 2x2 包装: REEL

单价

0.1856

包装单位

4000

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过时产品

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42%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	19A	RDS(on)at 10V
Q(g)		P(tot)

首选产品

IRLML0030TRPBF

MOSFET 30V 5.2A 产品料号: TMOSS6797 封装: SOT-23 包装: REEL

单价

0.0898

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3000

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42%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C		RDS(on)at 10V	27mOhm
Q(g)		P(tot)

首选产品

IRLML2030TRPBF

MOSFET 30V 2.7A 产品料号: TMOSS6801 封装: SOT-23 包装: REEL

单价

0.0681

包装单位

3000

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价格、交期数据手册

42%

Configuration	N-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C		RDS(on)at 10V	100mOhm
Q(g)		P(tot)