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ZXMC3A16DN8TA

N/P-CH 30V 6,4A 35mOhm SO8 产品料号: TMOS1444 封装: SO-8 包装: REEL

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0.8059

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500

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Configuration	N/P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	6,4A	RDS(on)at 10V	35mOhm
Q(g)	17,5nC	P(tot)	1,25W

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描述

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ZXMC3A17DN8TA

CMOS 30V 5A 50mOhm SO-8 产品料号: TMOSP10398 封装: SO-8 包装: REEL

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0.5649

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500

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10 周

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Configuration	N/P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	5,4A	RDS(on)at 10V	50mOhm
Q(g)	9,2nC	P(tot)	1,25W

IRF7509TRPBF

CMOS 30V 2,7/-2A 110/200mOhm 产品料号: TMOSP11969 封装: MICRO8 包装: REEL

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0.202

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4000

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20 周

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Configuration	N/P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	2,7A	RDS(on)at 10V	110mOhm
Q(g)	7,8nC	P(tot)	1,25W

PJS6604_S1_00001

N-CH Mosfet SOT23-6L 产品料号: TMOS1183 封装: SOT-23 6L 包装: REEL

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0.0915

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3000

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39 周

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44%

Configuration	N/P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	4,4A	RDS(on)at 10V	48mOhm
Q(g)	11nC	P(tot)	1,25W

IRF7389TRPBF

DUAL N/P-CH 30V SO-8 产品料号: TMOSP11906 封装: SO8 包装: REEL

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0.3385

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4000

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Configuration	N/P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C		RDS(on)at 10V
Q(g)		P(tot)

SI4532CDY-T1-GE3

CMOS 30V 6A 47mOhm SO-8 产品料号: TMOSP10576 封装: SO-8 包装: REEL

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0.2595

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2500

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39%

Configuration	N/P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	6A	RDS(on)at 10V	47mOhm
Q(g)	9nC	P(tot)	2,78W

IRF7309TRPBF

CMOS 30V 4/-3A 50/100mOhm 产品料号: TMOSP11870 封装: SO-8 包装: REEL

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0.26

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4000

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39%

Configuration	N/P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	4A	RDS(on)at 10V	100mOhm
Q(g)	16,7nC	P(tot)	66W

DMC3032LSD-13

CMOS 30/-30V 32mOhm AECQ SO-8 产品料号: TMOSP10715 封装: SO-8 包装: REEL

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0.1736

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2500

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现货

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39%

Configuration	N/P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	8A	RDS(on)at 10V	32mOhm
Q(g)	9,2nC	P(tot)	2,5W

DMC3028LSD-13

N/P MOS 30/-30V 25mOhm SO-8 产品料号: TMOSP10220 封装: SO-8 包装: REEL

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0.213

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2500

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10 周

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38%

Configuration	N/P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	7,1A	RDS(on)at 10V	28mOhm
Q(g)	5,2nC	P(tot)	2,1W

DMN3010LSS-13

N-CH 30V 16A 9mOhm SOP-8L 产品料号: TMOSP10485 封装: SO-8 包装: REEL

单价

0.2643

包装单位

2500

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10 周

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38%

Configuration	N/P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	16A	RDS(on)at 10V	9mOhm
Q(g)	22,4nC	P(tot)	2,5W

ZXMHC3F381N8TC

H-Br 30V 4A 88mOhm SO-8 产品料号: TMOSP9223 封装: SO-8 包装: REEL

单价

0.5764

包装单位

2500

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10 周

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38%

Configuration	N/P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	4,1A	RDS(on)at 10V	88mOhm
Q(g)	9nC	P(tot)	0,87W