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RQ1E050RPFRATR

P-CH+ESD -30V -5A 31mOhm TSMT8 产品料号: TMOS1933 封装: TSMT8 包装: REEL

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0.31

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3000

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Configuration	P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	5A	RDS(on)at 10V	22mOhm
Q(g)	28nC	P(tot)	0.7W

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DMP3010LK3Q-13

P-CH -30V -17A 8mOhm TO252 产品料号: TMOS1255 封装: DPAK 包装: REEL

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0.4345

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2500

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Configuration	P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	17A	RDS(on)at 10V	8mOhm
Q(g)	59.2nC	P(tot)	1.7W

DMP3018SFV-7

P-CH 30V 35A 12mOhm PwDI3333-8 产品料号: TMOS2557 封装: PwDI3x3 包装: REEL

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0.193

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2000

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Configuration	P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	35A	RDS(on)at 10V	12mOhm
Q(g)	28nC	P(tot)	1W

DMP3018SFVQ-13

P-CH 30V 35A 12mOhm PwDI3333-8 产品料号: TMOS2486 封装: PwDI3x3 包装: REEL

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0.2113

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3000

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74 周

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56%

Configuration	P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	35A	RDS(on)at 10V	12mOhm
Q(g)	28nC	P(tot)	1W

SI2369DS-T1-GE3

P-CH 30V 7,6A 24mOhm SOT-23 产品料号: TMOS2836 封装: SOT-23 包装: REEL

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0.192

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3000

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Configuration	P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	7.6A	RDS(on)at 10V	24mOhm
Q(g)	24nC	P(tot)	2.5W

DMP3010LK3-13

P-CH -30V -17A 8mOhm TO252 SMD 产品料号: TMOS1257 封装: DPAK 包装: REEL

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0.3695

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2500

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Configuration	P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	17A	RDS(on)at 10V	8mOhm
Q(g)	59.2nC	P(tot)	1.7W

SI4483ADY-T1-GE3

P-CH 30V 19,2A 7,3mOhm SO-8 产品料号: TMOS2709 封装: SO-8 包装: REEL

单价

0.9174

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2500

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77 周

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55%

Configuration	P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	19.2A	RDS(on)at 10V	7.3mOhm
Q(g)	90nC	P(tot)	5.9W

DMP3026SFDE-7

P-CH -30V 8,7A 19mOhm DFN2020-6 产品料号: TMOS2055 封装: DFN2020-6 包装: REEL

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0.1736

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3000

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10 周

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Configuration	P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	8.7A	RDS(on)at 10V	19mOhm
Q(g)	19.6nC	P(tot)	2.0W

DMP3125L-7

P-CH 30V 2,5A 76mOhm SOT23 产品料号: TMOS2674 封装: SOT-23 包装: REEL

单价

0.0657

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3000

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10 周

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55%

Configuration	P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	2.5A	RDS(on)at 10V	76mOhm
Q(g)	3.1nC	P(tot)	1.2W

DMP3056LDM-7

P-CH MOS-FET 5A 30V SOT26 产品料号: TMOSS6309 封装: SOT-26 包装: REEL

单价

0.1486

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3000

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10 周

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54%

Configuration	P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	5A	RDS(on)at 10V	45mOhm
Q(g)		P(tot)	1.25W

SQ1431EH-T1_GE3

P-CH 30V 3A 175mOhm SOT363 产品料号: TMOS1830 封装: SOT-363 包装: REEL

单价

0.1594

包装单位

3000

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17 周

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54%

Configuration	P-CH	V(DS)	30V
I(D)at Tc=25°C	3A	RDS(on)at 10V	0.175mOhm
Q(g)	4.2nC	P(tot)	3W