- Configuration
- N-CH
- V(DS)
- 600 V
- I(D)at Tc=25°C
- 3.2 A
- RDS(on)at 10V
- 1400 mOhm
- Q(g)
- 16 nC
- P(tot)
- 38 W
- R(thJC)
- 3.8 K/W
- Logic level
- NO
- Mounting
- THT
- Technology
- CoolMOS S5
- Fast bodydiode
- NO
- P(tot)
- NO
- 封装
- TO-251
- RoHS Status
- RoHS-conform
- 包装
- TUBE
- 出口控制分类编号
- EAR99
- 海关税号
- 85412900000
- 国家或地区
- China
- ABC 编码
- B
- 生产商交期
- 54 周
Summary of Features
- Innovative high voltage technology
- Worldwide best R DS(on) in TO-251 and TO-252
- Ultra low gate charge
- Periodic avalanche rated
- Extreme dv/dt rated
- Ultra low effective capacitances
- Improved transconductance
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